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P5116L-10

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
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文件大小159KB,共8页
制造商Intel(英特尔)
官网地址http://www.intel.com/
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P5116L-10概述

Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24

P5116L-10规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Intel(英特尔)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP24,.6
针数24
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
其他特性POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T24
JESD-609代码e0
长度31 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.3 mm
最大待机电流0.000002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm

P5116L-10相似产品对比

P5116L-10 P5116L-12 P5116S-12 P5116S-10
描述 Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Intel(英特尔) Intel(英特尔) Intel(英特尔) Intel(英特尔)
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6
针数 24 24 24 24
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 100 ns 120 ns 120 ns 100 ns
其他特性 POWER-DOWN POWER-DOWN POWER-DOWN POWER-DOWN
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T24 R-PDIP-T24 R-PDIP-T24 R-PDIP-T24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 31 mm 31 mm 31 mm 31 mm
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 24
字数 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000 2000 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6 DIP24,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.3 mm 5.3 mm 5.3 mm 5.3 mm
最大待机电流 0.000002 A 0.000002 A 0.00005 A 0.00005 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.06 mA 0.06 mA 0.06 mA 0.06 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm

 
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