SMJ27C210-17JM概述

64KX16 UVPROM, 170ns, CDIP40, 0.600 INCH, CERDIP-40

SMJ27C210-17JM规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP
包装说明	WDIP, DIP40,.6
针数	40
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	170 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T40
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	UVPROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	40
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	64KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	WDIP
封装等效代码	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	4.907 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm

SMJ27C210-17JM相似产品对比

	SMJ27C210-17JM	SMJ27C210-20JM	SMJ27C210-15JM	SMJ27C210-12JM	SMJ27C210-25JM
描述	64KX16 UVPROM, 170ns, CDIP40, 0.600 INCH, CERDIP-40	64KX16 UVPROM, 200ns, CDIP40, 0.600 INCH, CERDIP-40	64KX16 UVPROM, 150ns, CDIP40, 0.600 INCH, CERDIP-40	64KX16 UVPROM, 120ns, CDIP40, 0.600 INCH, CERDIP-40	64KX16 UVPROM, 250ns, CDIP40, 0.600 INCH, CERDIP-40
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	WDIP, DIP40,.6	0.600 INCH, CERDIP-40	0.600 INCH, CERDIP-40	WDIP, DIP40,.6	WDIP, DIP40,.6
针数	40	40	40	40	40
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	170 ns	200 ns	150 ns	120 ns	250 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T40	R-GDIP-T40	R-GDIP-T40	R-GDIP-T40	R-GDIP-T40
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM
内存宽度	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	40	40	40	40	40
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	WDIP	WDIP	WDIP	WDIP	WDIP
封装等效代码	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	4.907 mm	4.907 mm	4.907 mm	4.907 mm	4.907 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm

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