电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IXTP10P50P

产品描述Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小188KB,共6页
制造商IXYS
标准  
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IXTP10P50P在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
IXTP10P50P - - 点击查看 点击购买

IXTP10P50P概述

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

IXTP10P50P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码TO-220AB
包装说明PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Samacsys DescriptionMOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)1500 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IXTP10P50P相似产品对比

IXTP10P50P IXTQ10P50P IXTA10P50P
描述 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 TO-220AB TO-3P D2PAK
包装说明 PLASTIC, TO-220, 3 PIN FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数 3 3 4
Reach Compliance Code compliant compliant not_compliant
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 1500 mJ 1500 mJ 1500 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 10 A 10 A 10 A
最大漏极电流 (ID) 10 A 10 A 10 A
最大漏源导通电阻 1 Ω 1 Ω 1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 300 W 300 W 300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 30 A 30 A 30 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
厂商名称 IXYS - IXYS
JEDEC-95代码 TO-220AB - TO-263AB
MS-51P1,P3口输入输出实验
输入输出接口是单片机重要的组成部分,MS-51系列单片机有4个并行IO口(P0,P1,P2,P3)我们第一个程序是将8个LED灯(L1-L8)同时点亮,延时再熄灭,将P0-P7依次接至LED1-LED8,将单片机复位,打开计算机中的DVCC(单片机的集成开发软件),编写以下程序ORG 1000HStart:MOV P1,#0FFHACALLDelayMOVP1,#00HACALL DelaySJM...
zhangzhenyuan 51单片机
数控电源制作资料
数控电源制作资料...
风亦路 模拟与混合信号
流明学习笔记之十五圣诞快乐
今天圣诞节哈,给大家个祝福:圣诞快乐我这个是在OLED上显示,这个OLED分两种色,比较好看,今天是圣诞虽然我是个传统的中国人,但现在中西结合的现代社会发个祝福还是可以地:victory:这次的函数完全是我自己写的,因为我掌握的原理,SH112A,这款OLED非常简单分屏分7层,说明书是7页,每页132个X地址,若超出一页,就换页我的函数如下:void han(unsigned char x,un...
ddllxxrr 微控制器 MCU
C语言基础知识视频教程,手慢无!
C语言是一门很受欢迎的编程语言,对于很多想学习嵌入式开发的朋友们来说,C语言学习是必学课程,今天楼主在这里给大家分享一个C语言基础知识视频教程,需要的朋友可以看看,希望能帮助到大家!百度云分享:[url]http://pan.baidu.com/s/1i4PI77B[/url]密码:k7uh...
深入细化 嵌入式系统
索尼14500柱状锂离子电池规格书
适用于智能家居以及小型电子产品的可充式二次锂离子电池...
上海锂电 电源技术
请教各位OemPowerOff、BSPPowerOff、GwesPowerOffSystem这三者之间的调用关系?
请教各位:在WINCE42中我调用GwesPowerOffSystem()函数,该函数会到我的BSP下调用OEMPowerOff()函数去执行关机(挂起或者叫深度休眠)操作。但是在WINCE50中BSP并没有OEMPowerOff()函数,取代它的是BSPPowerOff()函数请问在WINCE50下我调用GwesPowerOffSystem后,会调用哪个函数执行关机操作????BSPPowerO...
dagelou 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 403  587  882  1053  1248 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved