Non-Volatile SRAM, 128KX16, 25ns, CMOS, PDSO54, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | TSOP2 |
| 包装说明 | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
| 针数 | 54 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 25 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 22.41 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 54 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128KX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.003 A |
| 最大压摆率 | 0.07 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 10.16 mm |
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