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TM4164FM8-12L

产品描述64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30
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文件大小367KB,共14页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

TM4164FM8-12L概述

64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30

TM4164FM8-12L规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SIMM
包装说明SIMM, SIM30
针数30
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式PAGE
最长访问时间120 ns
其他特性RAS ONLY REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N30
内存密度524288 bit
内存集成电路类型DRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量30
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SIM30
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期256
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE

TM4164FM8-12L相似产品对比

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描述 64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30 64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA30, 3.100 X 0.650 INCH, SIMM-30 64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3.100 X 0.650 INCH, SIMM-30 64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, 3.100 X 0.650 INCH, SIMM-30 64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 150ns, SMA30, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30 64KX8 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 200ns, SMA30, 3.500 X 0.600 INCH, SIMM-30
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
包装说明 SIMM, SIM30 3.100 X 0.650 INCH, SIMM-30 , SIP30,.2 , SIP30,.2 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30
针数 30 30 30 30 30 30
Reach Compliance Code unknown not_compliant not_compliant not_compliant unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE
最长访问时间 120 ns 120 ns 200 ns 150 ns 150 ns 200 ns
其他特性 RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-N30 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30
内存密度 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bi
内存集成电路类型 DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE DRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 30 30 30 30 30 30
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 SIM30 SIP30,.2 SIP30,.2 SIP30,.2 SIM30 SIM30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 256 256 256 256 256
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)

 
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