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WME128K8-125DEQ: 产品描述EEPROM, 128KX8, 125ns, Parallel, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOJ-32; 产品类别存储存储; 文件大小320KB，共11页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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EEPROM, 128KX8, 125ns, Parallel, CMOS, CDSO32, 0.400 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOJ-32

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	SOJ
包装说明	0.400 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOJ-32
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	125 ns
其他特性	HARDWARE AND SOFTWARE DATA PROTECTION
JESD-30 代码	R-CDSO-J32
JESD-609代码	e4
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
组织	128KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子面层	GOLD
端子形式	J BEND
端子位置	DUAL
宽度	11.23 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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