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M36P0R9070E0ZACE: 产品描述Memory Circuit, Flash+PSRAM, 32MX16, CMOS, PBGA107, 8 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-107; 产品类别存储存储; 文件大小467KB，共23页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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M36P0R9070E0ZACE概述

Memory Circuit, Flash+PSRAM, 32MX16, CMOS, PBGA107, 8 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-107

M36P0R9070E0ZACE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA107,9X12,32
针数	107
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	96 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; PSRAM IS ORGANISED AS 8M X 16
JESD-30 代码	R-PBGA-B107
JESD-609代码	e1
长度	11 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
混合内存类型	FLASH+PSRAM
功能数量	1
端子数量	107
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-30 °C
组织	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA107,9X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.0002 A
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	8 mm

M36P0R9070E0ZACE相似产品对比

	M36P0R9070E0ZACE	M36P0R9070E0ZACF	M36P0R9070E0ZAC
描述	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 32MX16, CMOS, PBGA107, 8 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-107	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 32MX16, CMOS, PBGA107, 8 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-107	Memory Circuit, Flash+PSRAM, 32MX16, CMOS, PBGA107, 8 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-107
是否无铅	不含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA107,9X12,32	TFBGA, BGA107,9X12,32	TFBGA, BGA107,9X12,32
针数	107	107	107
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	96 ns	96 ns	96 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; PSRAM IS ORGANISED AS 8M X 16	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; PSRAM IS ORGANISED AS 8M X 16	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; PSRAM IS ORGANISED AS 8M X 16
JESD-30 代码	R-PBGA-B107	R-PBGA-B107	R-PBGA-B107
JESD-609代码	e1	e1	e0
长度	11 mm	11 mm	11 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16	16	16
混合内存类型	FLASH+PSRAM	FLASH+PSRAM	FLASH+PSRAM
功能数量	1	1	1
端子数量	107	107	107
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-30 °C	-30 °C	-30 °C
组织	32MX16	32MX16	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA107,9X12,32	BGA107,9X12,32	BGA107,9X12,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.0002 A	0.0002 A	0.0002 A
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm	8 mm	8 mm
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	-

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