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MWS5101EL3: 产品描述Standard SRAM, 256X4, 350ns, CMOS, PDIP22,; 产品类别存储存储; 文件大小843KB，共6页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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MWS5101EL3概述

Standard SRAM, 256X4, 350ns, CMOS, PDIP22,

MWS5101EL3规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Rochester Electronics
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	350 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T22
JESD-609代码	e0
内存密度	1024 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端子数量	22
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256X4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	6.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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MWS5101EL3相似产品对比

	MWS5101EL3	MWS5101EL2X
描述	Standard SRAM, 256X4, 350ns, CMOS, PDIP22,	Standard SRAM, 256X4, 250ns, CMOS, PDIP22,
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
最长访问时间	350 ns	250 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T22	R-PDIP-T22
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	1024 bit	1024 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4
功能数量	1	1
端子数量	22	22
字数	256 words	256 words
字数代码	256	256
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	256X4	256X4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	6.5 V	6.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4 V	4 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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