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K7B403225B-QC65

产品描述Cache SRAM, 128KX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
产品类别存储    存储   
文件大小507KB,共19页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K7B403225B-QC65概述

Cache SRAM, 128KX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

K7B403225B-QC65规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码QFP
包装说明20 X 14 MM, TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间6.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度32
功能数量1
端子数量100
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.05 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
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