Synchronous DRAM, 64MX48, 5.4ns, CMOS, CQFP128, CERAMIC, QFP-128
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Cobham Semiconductor Solutions |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | QFP, |
| 针数 | 128 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 5.4 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-CQFP-G128 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 27.56 mm |
| 内存密度 | 3221225472 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 48 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 128 |
| 字数 | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 105 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64MX48 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度 | 5.61 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.635 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 总剂量 | 10k Rad(Si) V |
| 宽度 | 15.44 mm |
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