IC 8 CHANNEL, SAMPLE AND HOLD AMPLIFIER, 3.5 us ACQUISITION TIME, PDSO16, SOIC-16, Sample and Hold Circuit
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP16,.25 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 标称采集时间 | 3.5 µs |
| 放大器类型 | SAMPLE AND HOLD CIRCUIT |
| 最大模拟输入电压 | 17 V |
| 最小模拟输入电压 | -17 V |
| 最大下降率 | 0.04 V/s |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 10.3 mm |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | -17 V |
| 功能数量 | 8 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP16,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 220 |
| 电源 | +-5,12 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 采样并保持/跟踪并保持 | SAMPLE |
| 座面最大高度 | 2.65 mm |
| 最大压摆率 | 8 mA |
| 供电电压上限 | 17 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 12 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 7.5 mm |
| SMP-18FS | SMP-18GBC | SMP-18FP | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC 8 CHANNEL, SAMPLE AND HOLD AMPLIFIER, 3.5 us ACQUISITION TIME, PDSO16, SOIC-16, Sample and Hold Circuit | 8 CHANNEL, SAMPLE AND HOLD AMPLIFIER, UUC16, 0.080 X 0.120 INCH, DIE-16 | IC 8 CHANNEL, SAMPLE AND HOLD AMPLIFIER, 3.5 us ACQUISITION TIME, PDIP16, PLASTIC, DIP-16, Sample and Hold Circuit |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | SOIC | DIE | DIP |
| 包装说明 | SOP, SOP16,.25 | 0.080 X 0.120 INCH, DIE-16 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| 放大器类型 | SAMPLE AND HOLD CIRCUIT | SAMPLE AND HOLD CIRCUIT | SAMPLE AND HOLD CIRCUIT |
| 最大模拟输入电压 | 17 V | 17 V | 17 V |
| 最小模拟输入电压 | -17 V | -17 V | -17 V |
| 最大下降率 | 0.04 V/s | 0.04 V/s | 0.04 V/s |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 | R-XUUC-N16 | R-PDIP-T16 |
| 负供电电压上限 | -17 V | -17 V | -17 V |
| 功能数量 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | DIE | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | UNCASED CHIP | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 220 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 采样并保持/跟踪并保持 | SAMPLE | SAMPLE | SAMPLE |
| 最大压摆率 | 8 mA | 8 mA | 8 mA |
| 供电电压上限 | 17 V | 17 V | 17 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 12 V | 12 V | 12 V |
| 表面贴装 | YES | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 端子形式 | GULL WING | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL | UPPER | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | - | ADI(亚德诺半导体) |
| 标称采集时间 | 3.5 µs | - | 3.5 µs |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
| 长度 | 10.3 mm | - | 20.13 mm |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C |
| 封装等效代码 | SOP16,.25 | - | DIP16,.3 |
| 电源 | +-5,12 V | - | +-5,12 V |
| 座面最大高度 | 2.65 mm | - | 5.33 mm |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | - | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 2.54 mm |
| 宽度 | 7.5 mm | - | 7.62 mm |
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