TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 15 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 8 A |
最大漏极电流 (ID) | 8 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | C BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 37.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved