MSM514256CL-50RS,MSM514256CL-50RS pdf中文资料,MSM514256CL-50RS引脚图,MSM514256CL-50RS电路-Datasheet-电子工程世界

MSM514256CL-50RS: 产品描述Fast Page DRAM, 256KX4, 50ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-20; 产品类别存储存储; 文件大小277KB，共18页; 制造商LAPIS Semiconductor Co Ltd

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MSM514256CL-50RS概述

Fast Page DRAM, 256KX4, 50ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-20

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP20,.3
针数	20
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T20
JESD-609代码	e0
长度	24.38 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP20,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.0002 A
最大压摆率	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

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