K4H560838E-VLCC0,K4H560838E-VLCC0 pdf中文资料,K4H560838E-VLCC0引脚图,K4H560838E-VLCC0电路-Datasheet-电子工程世界

K4H560838E-VLCC0: 产品描述DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, STSOP2-54; 产品类别存储存储; 文件大小364KB，共24页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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K4H560838E-VLCC0概述

DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, STSOP2-54

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSSOP,
针数	54
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.65 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
长度	14 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	2
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.6 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	7.6 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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