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DPE512S8N-25I

产品描述EEPROM Module, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDMA32, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
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文件大小136KB,共6页
制造商Twilight Technology Inc
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DPE512S8N-25I概述

EEPROM Module, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDMA32, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

DPE512S8N-25I规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Twilight Technology Inc
零件包装代码MODULE
包装说明DIP, DIP32,.6
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.B.1
最长访问时间250 ns
其他特性DATA RETENTION > 10 YEARS
数据轮询YES
数据保留时间-最小值10
JESD-30 代码R-CDMA-T32
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型EEPROM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
页面大小128 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.003 A
最大压摆率0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护SOFTWARE
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