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MT46V32M8FG-6ES:G

产品描述DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 14 MM, PLASTIC, FBGA-60
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共83页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT46V32M8FG-6ES:G概述

DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 14 MM, PLASTIC, FBGA-60

MT46V32M8FG-6ES:G规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明TBGA,
针数60
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)235
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.6 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm
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