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MB85RC64A

产品描述64 K (8 K × 8) ビットI2C
文件大小295KB,共32页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB85RC64A概述

64 K (8 K × 8) ビットI2C

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FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00019-2v0-J
メモリ
FRAM
64 K (8 K
×
8)
ビット
I C
2
MB85RC64A
概 要
MB85RC64Aは,
不揮発性メモリセルを½成する強誘電½プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた8,192 ワー
ド×
8
ビット構成の
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory:
強誘電½ランダムアクセスメモリ
)
です。
MB85RC64A
, SRAM
のようにデータバックアップ用バッテリを½用しなくてもデータ保持が可½です。
MB85RC64A
に採用しているメモリセルは書込み
/
読出し動½でバイトあたり最½
10
12
回の耐久性があり
,
ほかの不揮
発性メモリ½品よりも大きく上回ります。
MB85RC64A
では
,
フラッシュメモリや
E
2
PROM
のような長い書込み時間は不要のため
, 1
バイト単½での書込みを 実
現しています。
したがって
,
ライトビジー状態のような書込み完了待ちシーケンスは必要としません。
特 長
ビット構成
2
線式シリアルインタフェース
動½周波数
書込み
/
読出し耐性
データ保持特性
動½電源電圧
½消費電力
8,192
ワード×
8
ビット
シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可½
MHz (Max)
1
12
/
バイト
10
: 年
(
85
°C),
95
(
55
°C),
200
年以上
(
35
°C)
10
V
3.6 V
2.7
動½電流
250
μA
(Typ @1 MHz)
スタンバイ電流
5
μA
(Typ)
40
°C
∼+
85
°C
プラスチック
SOP, 8
ピン
(FPT-8P-M02)
本½品は
RoHS
指令に適合しています。
・ 動½温度範囲
・ パッケージ
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