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MB85RC256V: 产品描述256 K (32 KÃ8) ãããI2C; 产品类别配件; 文件大小297KB，共32页; 制造商FUJITSU(富士通); 官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

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MB85RC256V概述

256 K (32 KÃ8) ãããI2C

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS501-00017-4v0-J

メモリ

FRAM

256 K (32 K×8)

ビット

I C

MB85RC256V

■

概要

MB85RC256V

は

不揮発性メモリセルを½成する強誘電½プロセスとシリコンゲート

CMOS

プロセスを用いた

32,768

ワード

×8

ビット構成の

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory:

強誘電½ランダムアクセスメモリ

)

です。

MB85RC256V

は

, SRAM

のようにデータバックアップ用バッテリを½用しなくてもデータ保持が可½です。

MB85RC256V

に採用しているメモリセルは書込み

読出し動½でバイトあたり最½

回の耐久性があり

ほかの不揮

発性メモリ½品よりも大きく上回ります。

MB85RC256V

では

フラッシュメモリや

PROM

のような長い書込み時間は不要のため

, 1

バイト単½での書込みを実

現しています。

したがって

ライトビジー状態のような書込み完了待ちシーケンスは必要としません。

■

特長

・

ビット構成

線式シリアルインタフェース

動½周波数

書込み

読出し耐性

データ保持特性

動½電源電圧

½消費電力

:32,768

ワード

×8

ビット

:シリアルクロック (SCL)

とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可½

:1 MHz (Max)

:10

回

バイト

:10

年

(

＋

°C),

年

(

＋

°C),

200

年以上

(

＋

°C)

:2.7 V

∼

5.5 V

動½電流

200

μA

(Max @ 1 MHz)

スタンバイ電流

μA

(Typ)

−

°C

∼＋

°C

プラスチック

SOP, 8

ピン

(FPT-8P-M02)

プラスチック

SOP, 8

ピン

(FPT-8P-M08)

両パッケージ品共に

RoHS

指令に適合しています。

・動½温度範囲

・パッケージ

2013.12

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