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IXFP16N60P3: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小221KB，共4页; 制造商IXYS; 标准

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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

	IXFP16N60P3	IXFH16N60P3
描述	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, TO-247, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	IXYS	IXYS
零件包装代码	TO-220AB	TO-247AD
包装说明	PLASTIC PACKAGE-3	PLASTIC, TO-247, 3 PIN
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	800 mJ	800 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	16 A	16 A
最大漏极电流 (ID)	16 A	16 A
最大漏源导通电阻	0.44 Ω	0.44 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB	TO-247AD
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	347 W	347 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A	40 A
表面贴装	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON