FIFO, 2KX9, 50ns, Synchronous, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | LCC |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-44 |
| 针数 | 44 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 50 ns |
| 其他特性 | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 15 MHz |
| 周期时间 | 65 ns |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J44 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 16.5862 mm |
| 内存密度 | 18432 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 44 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC44,.7SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL/SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.57 mm |
| 最大待机电流 | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 16.5862 mm |
| IDT72103L50J | IDT72104L35J | |
|---|---|---|
| 描述 | FIFO, 2KX9, 50ns, Synchronous, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | FIFO, 4KX9, 35ns, Synchronous, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | LCC | LCC |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-44 | QCCJ, LDCC44,.7SQ |
| 针数 | 44 | 44 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 50 ns | 35 ns |
| 其他特性 | RETRANSMIT | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 15 MHz | 22.2 MHz |
| 周期时间 | 65 ns | 45 ns |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J44 | S-PQCC-J44 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 16.5862 mm | 16.5862 mm |
| 内存密度 | 18432 bit | 36864 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 | 9 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 44 | 44 |
| 字数 | 2048 words | 4096 words |
| 字数代码 | 2000 | 4000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 2KX9 | 4KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC44,.7SQ | LDCC44,.7SQ |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL/SERIAL | PARALLEL/SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.57 mm | 4.57 mm |
| 最大待机电流 | 0.002 A | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.14 mA | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
| 宽度 | 16.5862 mm | 16.5862 mm |
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