DDR DRAM, 64MX32, 5ns, CMOS, PBGA168, 12 X 12 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-168
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Micron Technology |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | VFBGA, |
针数 | 168 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 5 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | S-PBGA-B168 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 12 mm |
内存密度 | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 32 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 168 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 64MX32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 12 mm |
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