Flash, 256KX8, 120ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Winbond(华邦电子) |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| 启动块 | TOP |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.56 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 11.43 mm |
| W49F002UP12BZ | W49F002U70BN | W49F002UP12Z | W49F002UP70N | W49F002UQ90N | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Flash, 256KX8, 120ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 | Flash, 256KX8, 70ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 | Flash, 256KX8, 120ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 | Flash, 256KX8, 70ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | Flash, 256KX8, 90ns, PDSO32, 8 X 14 MM, STSOP-32 |
| 厂商名称 | Winbond(华邦电子) | Winbond(华邦电子) | Winbond(华邦电子) | Winbond(华邦电子) | Winbond(华邦电子) |
| 零件包装代码 | QFJ | DIP | QFJ | QFJ | TSOP |
| 包装说明 | LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 | DIP, DIP32,.6 | LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | TSSOP, TSSOP32,.56,20 |
| 针数 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | not_compliant | compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 120 ns | 70 ns | 120 ns | 70 ns | 90 ns |
| 启动块 | TOP | TOP | TOP | TOP | TOP |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | R-PDIP-T32 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 | R-PDSO-G32 |
| 长度 | 13.97 mm | 41.91 mm | 13.97 mm | 13.97 mm | 12.4 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | DIP | QCCJ | QCCJ | TSSOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 编程电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.56 mm | 5.33 mm | 3.56 mm | 3.56 mm | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J BEND | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | QUAD | QUAD | DUAL |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE |
| 宽度 | 11.43 mm | 15.24 mm | 11.43 mm | 11.43 mm | 8 mm |
| 是否无铅 | - | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | - | 不符合 | 符合 | 不符合 | 不符合 |
| 其他特性 | - | HARDWARE DATA PROTECTION; 10-YEARS DATA RETENTION; ENDURANCE 10K CYCLES | - | HARDWARE DATA PROTECTION; 10-YEARS DATA RETENTION; ENDURANCE 10K CYCLES | HARDWARE DATA PROTECTION; 10-YEARS DATA RETENTION; ENDURANCE 10K CYCLES |
| 命令用户界面 | - | YES | - | YES | YES |
| 数据轮询 | - | YES | - | YES | YES |
| 数据保留时间-最小值 | - | 10 | - | 10 | 10 |
| 耐久性 | - | 10000 Write/Erase Cycles | - | 10000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-609代码 | - | e0 | - | e0 | e0 |
| 部门数/规模 | - | 1,2,1,1 | - | 1,2,1,1 | 1,2,1,1 |
| 封装等效代码 | - | DIP32,.6 | - | LDCC32,.5X.6 | TSSOP32,.56,20 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | NOT SPECIFIED | 245 | 225 | 240 |
| 电源 | - | 5 V | - | 5 V | 5 V |
| 部门规模 | - | 16K,8K,96K,128K | - | 16K,8K,96K,128K | 16K,8K,96K,128K |
| 最大待机电流 | - | 0.0001 A | - | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | - | 0.05 mA | - | 0.05 mA | 0.05 mA |
| 端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | 40 | 30 | 30 |
| 切换位 | - | YES | - | YES | YES |
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