KM44C1005CLJ-5概述

EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

KM44C1005CLJ-5规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ,
针数	24
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-J24
长度	17.15 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	3.76 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

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KM44C1005CLJ-5相似产品对比

	KM44C1005CLJ-5	KM44C1005CLT-5	KM44C1005CLT-7	KM44C1005CLJ-7	KM44C1005CLJ-6	KM44C1005CLT-6
描述	EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24	EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24	EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28/24
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	SOJ	TSOP2	TSOP2	SOJ	SOJ	TSOP2
包装说明	SOJ,	TSOP2,	TSOP2,	SOJ,	SOJ,	TSOP2,
针数	24	28/24	28/24	24	24	28/24
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns	50 ns	70 ns	70 ns	60 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-J24	R-PDSO-G24	R-PDSO-G24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-G24
长度	17.15 mm	18.41 mm	18.41 mm	17.15 mm	17.15 mm	18.41 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24	24	24
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	TSOP2	TSOP2	SOJ	SOJ	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024	1024	1024
座面最大高度	3.76 mm	1.2 mm	1.2 mm	3.76 mm	3.76 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	GULL WING	GULL WING	J BEND	J BEND	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	10.16 mm	10.16 mm	7.62 mm	7.62 mm	10.16 mm

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