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MV1866D-2%

产品描述Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小69KB,共1页
制造商Msi Electronics Inc
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MV1866D-2%概述

Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt

MV1866D-2%规格参数

参数名称属性值
厂商名称Msi Electronics Inc
包装说明O-CEMW-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压60 V
配置SINGLE
二极管电容容差2%
最小二极管电容比2.8
标称二极管电容10 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码O-CEMW-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
最小质量因数250
最大反向电流0.02 µA
反向测试电压55 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
变容二极管分类ABRUPT
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