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PG115B

产品描述Variable Capacitance Diode, 15pF C(T), Silicon, Abrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小62KB,共1页
制造商Msi Electronics Inc
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PG115B概述

Variable Capacitance Diode, 15pF C(T), Silicon, Abrupt

PG115B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Msi Electronics Inc
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性SUPER Q
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差5%
最小二极管电容比4.3
标称二极管电容15 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数200
最大重复峰值反向电压70 V
最大反向电流5e-7 µA
反向测试电压65 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
变容二极管分类ABRUPT
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