Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Zetex Semiconductors |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-W3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 1.1 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.45 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-W3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved