64M X 8 FLASH 2.7V PROM, 110 ns, PBGA64
64M × 8 FLASH 2.7V 可编程只读存储器, 110 ns, PBGA64
| 参数名称 | 属性值 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 64 |
| 最大工作温度 | 85 Cel |
| 最小工作温度 | -40 Cel |
| 最大供电/工作电压 | 3.6 V |
| 最小供电/工作电压 | 2.7 V |
| 额定供电电压 | 3 V |
| 最大存取时间 | 110 ns |
| 加工封装描述 | 9 X 9 MM, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FBGA-64 |
| 状态 | ACTIVE |
| 工艺 | CMOS |
| 包装形状 | SQUARE |
| 包装尺寸 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 表面贴装 | Yes |
| 端子形式 | BALL |
| 端子间距 | 1 mm |
| 端子涂层 | NOT SPECIFIED |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 内存宽度 | 8 |
| 组织 | 64M X 8 |
| 存储密度 | 5.13E8 deg |
| 操作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 位数 | 6.41E7 words |
| 位数 | 64M |
| 内存IC类型 | FLASH 2.7V PROM |
| 串行并行 | PARALLEL |
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