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72021L35C

产品描述FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDIP32
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文件大小1MB,共16页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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72021L35C概述

FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CDIP32

72021L35C规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
最大时钟频率 (fCLK)22.2 MHz
JESD-30 代码R-XDIP-T32
JESD-609代码e0
内存密度9216 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
端子数量32
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX9
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
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