ST303C12CCJ1P,ST303C12CCJ1P pdf中文资料,ST303C12CCJ1P引脚图,ST303C12CCJ1P电路-Datasheet-电子工程世界

ST303C12CCJ1P: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, EPUK-3; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小310KB，共10页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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ST303C12CCJ1P概述

Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, EPUK-3

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Vishay(威世)
零件包装代码	BUTTON
包装说明	DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	HIGH SPEED
外壳连接	ISOLATED
标称电路换相断开时间	25 µs
配置	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率	500 V/us
最大直流栅极触发电流	200 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
最大维持电流	600 mA
JEDEC-95代码	TO-200AB
JESD-30 代码	O-CXDB-X3
最大漏电流	50 mA
通态非重复峰值电流	8320 A
元件数量	1
端子数量	3
最大通态电流	620000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	1180 A
断态重复峰值电压	1200 V
重复峰值反向电压	1200 V
表面贴装	YES
端子面层	Nickel (Ni)
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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