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UGF8DT

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小78KB,共2页
制造商General Instrument Corp
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UGF8DT概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon,

UGF8DT规格参数

参数名称属性值
厂商名称General Instrument Corp
Reach Compliance Codeunknown
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

UGF8DT相似产品对比

UGF8DT UGF8AT UGF8BT UGF8CT
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 150V V(RRM), Silicon,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
应用 ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A 150 A
元件数量 1 1 1 1
相数 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 8 A 8 A 8 A 8 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 50 V 100 V 150 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.03 µs 0.03 µs 0.03 µs 0.03 µs
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE

 
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