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QS8886-20Z

产品描述Cache Tag SRAM, 16KX4, 19ns, CMOS, PZIP24,
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文件大小331KB,共8页
制造商Quality Semiconductor Inc
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QS8886-20Z概述

Cache Tag SRAM, 16KX4, 19ns, CMOS, PZIP24,

QS8886-20Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Quality Semiconductor Inc
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间19 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PZIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型CACHE TAG SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX4
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP24,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.015 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
汇编语言指令DA
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