BYM10-1000,BYM10-1000 pdf中文资料,BYM10-1000引脚图,BYM10-1000电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BYM10-1000

BYM10-1000: 产品描述1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小85KB，共5页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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BYM10-1000概述

1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB

BYM10-1000规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	30 A
元件数量	1
最高工作温度	175 °C
最大输出电流	1 A
最大重复峰值反向电压	1000 V
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches	1

BYM10-1000相似产品对比

	BYM10-1000	BYM10-50	GL41A/54	GL41D/54	GL41M/54	BYM10-1000/1	BYM10-400/1	GL41J/1
描述	1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB	1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB	DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB	DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB	DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB	DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	标准	标准	标准	标准	标准	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	-	-	50V	200V	1000V	1000V	400V	600V
电流 - 平均整流（Io）	-	-	1A	1A	1A	1A	1A	1A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	-	-	1.1V @ 1A	1.1V @ 1A	1.2V @ 1A	1.2V @ 1A	1.1V @ 1A	1.1V @ 1A
速度	-	-	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流	-	-	10µA @ 50V	10µA @ 200V	10µA @ 1000V	10µA @ 1000V	10µA @ 400V	10µA @ 600V
不同 Vr，F 时的电容	-	-	8pF @ 4V，1MHz	8pF @ 4V，1MHz	8pF @ 4V，1MHz	8pF @ 4V，1MHz	8pF @ 4V，1MHz	8pF @ 4V，1MHz
安装类型	-	-	表面贴装	表面贴装	表面贴装	表面贴装	表面贴装	表面贴装
封装/外壳	-	-	DO-213AB，MELF（玻璃）	DO-213AB，MELF（玻璃）	DO-213AB，MELF（玻璃）	DO-213AB，MELF（玻璃）	DO-213AB，MELF（玻璃）	DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装	-	-	DO-213AB	DO-213AB	DO-213AB	DO-213AB	DO-213AB	DO-213AB
工作温度 - 结	-	-	-65°C ~ 175°C	-65°C ~ 175°C	-65°C ~ 175°C	-65°C ~ 175°C	-65°C ~ 175°C	-65°C ~ 175°C

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