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71V35761YS200BG: 产品描述Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小633KB，共22页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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71V35761YS200BG概述

Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA-119
针数	119
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991
最长访问时间	3.1 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.36 mm
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm

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