IS61QDB44M18A-250B3LI,IS61QDB44M18A-250B3LI pdf中文资料,IS61QDB44M18A-250B3LI引脚图,IS61QDB44M18A-250B3LI电路-Datasheet-电子工程世界

IS61QDB44M18A-250B3LI: 产品描述QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TFBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小489KB，共30页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS61QDB44M18A-250B3LI概述

QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TFBGA-165

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	TBGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)	250 MHz
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
长度	15 mm
内存密度	75497472 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	165
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最小待机电流	1.7 V
最大压摆率	0.65 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.89 V
最小供电电压 (Vsup)	1.71 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	13 mm

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