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BCM847BV,315

产品描述BCM847BV; BCM847BS; BCM847DS - NPN/NPN matched double transistors SOT 6-Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小576KB,共15页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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BCM847BV,315概述

BCM847BV; BCM847BS; BCM847DS - NPN/NPN matched double transistors SOT 6-Pin

BCM847BV,315规格参数

参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Nexperia
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
制造商包装代码SOT666
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
参考标准IEC-60134
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

BCM847BV,315相似产品对比

BCM847BV,315 BCM847DS,115 BCM847BS,115 BCM847BV,115 BCM847BS,135 BCM847BS/ZLX BCM847BS/ZLF BCM847DS,135
描述 BCM847BV; BCM847BS; BCM847DS - NPN/NPN matched double transistors SOT 6-Pin TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSOP 晶体管类型:2 NPN(双) 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:45V 额定功率:300mW BCM847BV; BCM847BS; BCM847DS - NPN/NPN matched double transistors TSSOP 6-Pin BCM847BV; BCM847BS; BCM847DS - NPN/NPN matched double transistors TSSOP 6-Pin BCM847BV; BCM847BS; BCM847DS - NPN/NPN matched double transistors TSSOP 6-Pin BCM847BV; BCM847BS; BCM847DS - NPN/NPN matched double transistors TSOP 6-Pin
Brand Name Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia
厂商名称 Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia
零件包装代码 SOT TSOP TSSOP SOT TSSOP TSSOP TSSOP TSOP
针数 6 6 6 6 6 6 6 6
制造商包装代码 SOT666 SOT457 SOT363 SOT666 SOT363 SOT363 SOT363 SOT457
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 - - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A - - 0.1 A
集电极-发射极最大电压 45 V 45 V 45 V 45 V 45 V - - 45 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS - - SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 200 200 200 200 200 - - 200
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-F6 R-PDSO-G6 - - R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 - - e3
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 - - 1
元件数量 2 2 2 2 2 - - 2
端子数量 6 6 6 6 6 - - 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 - - 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN - - NPN
表面贴装 YES YES YES YES YES - - YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) - - Tin (Sn)
端子形式 FLAT GULL WING GULL WING FLAT GULL WING - - GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL - - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 - - 30
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER - - AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON - - SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz - - 250 MHz
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - - EAR99
Samacsys Description - NEXPERIA - BCM847DS,115 - Bipolar Transistor Array, NPN, 45 V, 380 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-457 Nexperia BCM847BS,115 Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363 Nexperia BCM847BV,115 Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SSMini BCM847BS/SOT363/REELLG// - - Bipolar Transistors - BJT TRANS MATCHED PAIR
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED - - ISOLATED
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