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VS-40EPS08PBF

产品描述40 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小90KB,共5页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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VS-40EPS08PBF概述

40 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

40 A, 800 V, 硅, 整流二极管

VS-40EPS08PBF规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述ROHS COMPLIANT, MODIFIED TO-247AC, 2 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式THROUGH-HOLE
端子涂层MATTE TIN OVER NICKEL
端子位置SINGLE
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接CATHODE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
应用HIGH VOLTAGE
相数1
最大重复峰值反向电压800 V
最大平均正向电流40 A
最大非重复峰值正向电流475 A

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Bulletin I2179 rev. A 03/06
SAFE
IR
Series
40EPS..PbF
INPUT RECTIFIER DIODE
Lead-Free ("PbF" suffix)
V
F
< 1V @ 20A
I
FSM
= 475A
V
RRM
= 800 - 1200V
Description/ Features
The 40EPS..PbF rectifier
SAFE
IR
series has been opti-
mized for very low forward voltage drop, with moderate
leakage. The glass passivation technology used has reli-
able operation up to 150° C junction temperature.
Typical applications are in input rectification and these
products are designed to be used with International
Rectifier Switches and Output Rectifiers which are available
in identical package outlines.
Major Ratings and Characteristics
Characteristics
I
F(AV)
Sinusoidal
waveform
V
RRM
range
I
FSM
V
F
T
J
@ 20A, T
J
= 25°C
Package Outline
Units
A
V
A
V
°C
Values
40
800 - 1200
475
1.0
- 40 to 150
TO-247AC (Modified)
www.irf.com
1

VS-40EPS08PBF相似产品对比

VS-40EPS08PBF 40EPS12PbF
描述 40 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 40 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
端子数量 2 2
元件数量 1 1
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
应用 HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE
相数 1 1
最大重复峰值反向电压 800 V 1200 V
最大非重复峰值正向电流 475 A 475 A
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