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HYB511000B-80

产品描述Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共21页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 全文预览

HYB511000B-80概述

Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18

HYB511000B-80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间80 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
端子数量18
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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