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SDF50N40JAMZSZ

产品描述Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小63KB,共1页
制造商Solitron Devices Inc
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SDF50N40JAMZSZ概述

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

SDF50N40JAMZSZ规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Solitron Devices Inc
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-T5
Reach Compliance Codeunknown
其他特性CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
配置PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (ID)50 A
最大漏源导通电阻0.12 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-MSFM-T5
元件数量2
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)200 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)219 ns
最大开启时间(吨)173 ns
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