Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3,
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Solitron Devices Inc |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 1000 V |
最大漏极电流 (ID) | 5.5 A |
最大漏源导通电阻 | 2.4 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-3 |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 22 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
SDF6NA100SXHXSN | SDF6NA100SXHESN | SDF6NA100SXHVSN | SDF6NA100SXHSSN | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
最大漏极电流 (ID) | 5.5 A | 5.5 A | 5.5 A | 5.5 A |
最大漏源导通电阻 | 2.4 Ω | 2.4 Ω | 2.4 Ω | 2.4 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-3 | TO-3 | TO-3 | TO-3 |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 22 A | 22 A | 22 A | 22 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
厂商名称 | Solitron Devices Inc | - | Solitron Devices Inc | Solitron Devices Inc |
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