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SDF6NA100SXHXSN

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小153KB,共1页
制造商Solitron Devices Inc
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SDF6NA100SXHXSN概述

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3,

SDF6NA100SXHXSN规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Solitron Devices Inc
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (ID)5.5 A
最大漏源导通电阻2.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)22 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

SDF6NA100SXHXSN相似产品对比

SDF6NA100SXHXSN SDF6NA100SXHESN SDF6NA100SXHVSN SDF6NA100SXHSSN
描述 Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3,
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 1000 V 1000 V 1000 V 1000 V
最大漏极电流 (ID) 5.5 A 5.5 A 5.5 A 5.5 A
最大漏源导通电阻 2.4 Ω 2.4 Ω 2.4 Ω 2.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 22 A 22 A 22 A 22 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Solitron Devices Inc - Solitron Devices Inc Solitron Devices Inc
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