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UM6164DK-12

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDIP28
产品类别存储    存储   
文件大小192KB,共9页
制造商United Microelectronics Corporation
官网地址http://www.umc.com/
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UM6164DK-12概述

Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDIP28

UM6164DK-12规格参数

参数名称属性值
厂商名称United Microelectronics Corporation
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间12 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最小待机电流3 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL

UM6164DK-12相似产品对比

UM6164DK-12 UM6164DK-15
描述 Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDIP28 Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PDIP28
厂商名称 United Microelectronics Corporation United Microelectronics Corporation
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最长访问时间 12 ns 15 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28
内存密度 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 28 28
字数 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最小待机电流 3 V 3 V
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL
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