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EDI88128LP85FB: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CDFP32,; 产品类别存储存储; 文件大小213KB，共8页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]

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EDI88128LP85FB概述

Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CDFP32,

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	85 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDFP-F32
JESD-609代码	e0
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP
封装等效代码	FL32,.5
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.0004 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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