K3N9U1000M-YC,K3N9U1000M-YC pdf中文资料,K3N9U1000M-YC引脚图,K3N9U1000M-YC电路-Datasheet-电子工程世界

K3N9U1000M-YC: 产品描述MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48; 产品类别存储存储; 文件大小80KB，共5页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K3N9U1000M-YC概述

MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48

	K3N9U1000M-YC	K3N9V1000M-YC
描述	MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48	MASK ROM, 8MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP1	TSOP1
包装说明	TSOP1,	TSOP1,
针数	48	48
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	100 ns
备用内存宽度	8	8
JESD-30 代码	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48
长度	16.4 mm	16.4 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	MASK ROM	MASK ROM
内存宽度	16	16
功能数量	1	1
端子数量	48	48
字数	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	8MX16	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL
宽度	12 mm	12 mm

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ