Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Microsemi |
包装说明 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏极电流 (ID) | 22 A |
最大漏源导通电阻 | 0.23 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-254AA |
JESD-30 代码 | S-XSFM-P3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | NO |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |
PPF24N50E3 | PPF24N50 | |
---|---|---|
描述 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA |
厂商名称 | Microsemi | Microsemi |
包装说明 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 500 V | 500 V |
最大漏极电流 (ID) | 22 A | 22 A |
最大漏源导通电阻 | 0.23 Ω | 0.23 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-254AA | TO-254AA |
JESD-30 代码 | S-XSFM-P3 | S-XSFM-P3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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