FLM1011-8C: 产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小218KB，共4页; 制造商FUJITSU(富士通); 官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

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FLM1011-8C概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

FLM1011-8C规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	FUJITSU(富士通)
包装说明	HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	15 V
最大漏极电流 (ID)	2.6 A
FET 技术	JUNCTION
最高频带	X BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	DEPLETION MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	42.8 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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