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IS43R16160F-5BLI: 产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TFBGA-60; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共32页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS43R16160F-5BLI概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TFBGA-60

IS43R16160F-5BLI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	TBGA, BGA60,9X12,40/32
Reach Compliance Code	compliant
Factory Lead Time	8 weeks
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	13 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA60,9X12,40/32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.03 A
最大压摆率	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm

IS43R16160F-5BLI相似产品对比

	IS43R16160F-5BLI	IS43R16160F-5BL	IS46R16160F-5BLA1	IS43R83200F-6TL-TR
描述	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TFBGA-60	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TFBGA-60	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TFBGA-60	IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 66TSOP
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TSOP2,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compli
Factory Lead Time	8 weeks	8 weeks	10 weeks	8 weeks
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PDSO-G66
长度	13 mm	13 mm	13 mm	22.22 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16	16	8
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	60	60	60	66
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	33554432 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C
组织	16MX16	16MX16	16MX16	32MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	GULL WING
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	0.65 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	10.16 mm
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	200 MHz	200 MHz	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-
封装等效代码	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	-
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	-
最大待机电流	0.03 A	0.03 A	0.03 A	-
最大压摆率	0.22 mA	0.22 mA	0.22 mA	-

IS43R16160F-5BLI

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