电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

EDI8M4257P35C4B

产品描述SRAM Module, 256KX4, 35ns, CMOS, CDIP28,
产品类别存储    存储   
文件大小246KB,共5页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
下载文档 详细参数 全文预览

EDI8M4257P35C4B概述

SRAM Module, 256KX4, 35ns, CMOS, CDIP28,

EDI8M4257P35C4B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度4
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流0.002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.48 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 564  754  1282  1395  1657 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved