IDT7M6001S45CK,IDT7M6001S45CK pdf中文资料,IDT7M6001S45CK引脚图,IDT7M6001S45CK电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT7M6001S45CK: 产品描述SRAM Module, 16KX20, 45ns, CMOS, CQIP92, SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92; 产品类别存储存储; 文件大小164KB，共6页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7M6001S45CK概述

SRAM Module, 16KX20, 45ns, CMOS, CQIP92, SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92

IDT7M6001S45CK规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92
针数	92
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	45 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-CQIP-T92
JESD-609代码	e0
长度	71.12 mm
内存密度	327680 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	20
功能数量	1
端子数量	92
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16KX20
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QIP
封装等效代码	QI92,1.3/1.5,100
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	8.128 mm
最大待机电流	0.44 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	1.91 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	38.227 mm

IDT7M6001S45CK相似产品对比

	IDT7M6001S45CK	IDT7M6001S55CK	IDT7M6001S55CKB	IDT7M6001S45CKB	IDT7M6001S40CKB	IDT7M6001S40CK
描述	SRAM Module, 16KX20, 45ns, CMOS, CQIP92, SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92	SRAM Module, 16KX20, 55ns, CMOS, CQIP92, SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92	SRAM Module, 16KX20, 55ns, CMOS, CQIP92, SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92	SRAM Module, 16KX20, 45ns, CMOS, CQIP92, SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92	SRAM Module, 16KX20, 40ns, CMOS, CQIP92, SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92	SRAM Module, 16KX20, 40ns, CMOS, CQIP92, SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92	SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92	SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92	SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92	SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92	SIDE BRAZED, CERAMIC, QIP-92
针数	92	92	92	92	92	92
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	EAR99
最长访问时间	45 ns	55 ns	55 ns	45 ns	40 ns	40 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-CQIP-T92	R-CQIP-T92	R-CQIP-T92	R-CQIP-T92	R-CQIP-T92	R-CQIP-T92
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	71.12 mm	71.12 mm	71.12 mm	71.12 mm	71.12 mm	71.12 mm
内存密度	327680 bit	327680 bit	327680 bit	327680 bit	327680 bit	327680 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	20	20	20	20	20	20
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	92	92	92	92	92	92
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	125 °C	125 °C	125 °C	70 °C
组织	16KX20	16KX20	16KX20	16KX20	16KX20	16KX20
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QIP	QIP	QIP	QIP	QIP	QIP
封装等效代码	QI92,1.3/1.5,100	QI92,1.3/1.5,100	QI92,1.3/1.5,100	QI92,1.3/1.5,100	QI92,1.3/1.5,100	QI92,1.3/1.5,100
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	8.128 mm	8.128 mm	8.128 mm	8.128 mm	8.128 mm	8.128 mm
最大待机电流	0.44 A	0.44 A	0.49 A	0.49 A	0.49 A	0.44 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	1.91 mA	1.91 mA	2.035 mA	2.035 mA	2.035 mA	1.91 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	38.227 mm	38.227 mm	38.227 mm	38.227 mm	38.227 mm	38.227 mm
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

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