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HY27US08121B-FCB

产品描述Flash, 64MX8, 18ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63
产品类别存储    存储   
文件大小360KB,共40页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY27US08121B-FCB概述

Flash, 64MX8, 18ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63

HY27US08121B-FCB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA, BGA63,10X12,32
针数63
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间18 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B63
长度11 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模4K
端子数量63
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装等效代码BGA63,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小512 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3.3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1 mm
部门规模16K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型SLC NAND TYPE
宽度9 mm

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