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RS2MAHM2

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小369KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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RS2MAHM2概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

RS2MAHM2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL

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RS2AA thru RS2MA
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Glass passivated chip junction
- Ideal for automated placement
- Fast switching for high efficiency
- Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Surface Mount Fast Recovery Rectifiers
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - Green compound (halogen-free)
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Indicated by cathode band
Weight:
0.06 g (approximately)
DO-214AC (SMA)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@ 1.5 A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJL
R
θJA
T
J
T
STG
150
50
18
55
- 55 to +150
- 55 to +150
O
RS
2AA
50
35
50
RS
2BA
100
70
100
RS
2DA
200
140
200
RS
2GA
400
280
400
1.5
50
1.3
5
200
RS
2JA
600
420
600
RS
800
560
800
RS
1000
700
1000
2KA 2MA
UNIT
V
V
V
A
A
V
μA
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
250
500
ns
pF
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1405078
Version: G14
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