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HN62448NP-12

产品描述MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
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文件大小81KB,共11页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HN62448NP-12概述

MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42

HN62448NP-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP42,.6
针数42
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
其他特性USER CONFIGURABLE AS 512K X 16; TTL COMPATIBLE I/O; PAGE ACCESS TIME = 50NS
备用内存宽度8
JESD-30 代码R-PDIP-T42
JESD-609代码e0
长度52.8 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量42
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP42,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.06 mm
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm

HN62448NP-12相似产品对比

HN62448NP-12 HN62448NP-10 HN62448NTT-10 HN62448NFB-12 HN62448NTT-12
描述 MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42 MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42 MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, SOP-44 MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DIP TSOP2 SOIC TSOP2
包装说明 DIP, DIP42,.6 DIP, DIP42,.6 TSOP2, TSOP44,.46,32 SOP, SOP44,.63 TSOP2, TSOP44,.46,32
针数 42 42 44 44 44
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 120 ns 100 ns 100 ns 120 ns 120 ns
其他特性 USER CONFIGURABLE AS 512K X 16; TTL COMPATIBLE I/O; PAGE ACCESS TIME = 50NS USER CONFIGURABLE AS 512K X 16; TTL COMPATIBLE I/O; PAGE ACCESS TIME = 40NS USER CONFIGURABLE AS 512K X 16; TTL COMPATIBLE I/O; PAGE ACCESS TIME = 40NS USER CONFIGURABLE AS 512K X 16; TTL COMPATIBLE I/O; PAGE ACCESS TIME = 50NS USER CONFIGURABLE AS 512K X 16; TTL COMPATIBLE I/O; PAGE ACCESS TIME = 50NS
备用内存宽度 8 8 8 8 8
JESD-30 代码 R-PDIP-T42 R-PDIP-T42 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 52.8 mm 52.8 mm 18.41 mm 28.5 mm 18.41 mm
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 42 42 44 44 44
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP TSOP2 SOP TSOP2
封装等效代码 DIP42,.6 DIP42,.6 TSOP44,.46,32 SOP44,.63 TSOP44,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.06 mm 5.06 mm 1.2 mm 3 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.00003 A 0.00003 A 0.00003 A 0.00003 A 0.00003 A
最大压摆率 0.1 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.1 mA 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 0.8 mm 1.27 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm 15.24 mm 10.16 mm 12.6 mm 10.16 mm
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )

 
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